Opori-osveshenia.ru

Опоры освещения
2 просмотров
Рейтинг статьи
1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд
Загрузка...

Классификация транзисторов

Классификация транзисторов

Классификация транзисторов производится по следующим признакам:

а) По исходному материалу:

b) по диапазону рабочих частот:

– низкочастотные (до 3 МГц);

– среднечастотные (от 3 до 30 МГц);

– высокочастотные (свыше 30 МГц).

– малой мощности (до 0,3 Вт);

– средней мощности (от 0,3 до 1,5 Вт);

– большой мощности (свыше 1,5 Вт).

Система обозначений транзисторов

Система обозначений транзисторов, состоит из четырех элементов:

Первый элемент обозначения – буква или цифра, обозначающая материал, на основе которого выполнен транзистор:

– буква Г или цифра 1 – германий;

– буква К или цифра 2 – кремний;

– буква А или цифра 3 – арсенид галлия.

Второй элемент обозначения – буква, определяющая подкласс прибора:

– буква Т – биполярный транзистор;

– буква П – полевой транзистор.

Третий элемент обозначения – группа, состоящая из трех цифр:

а) первая цифра (от 1 до 9) третьего элемента обозначения – классификационный номер прибора в соответствии с его назначением:

НизкочастотныеСреднечастотныеВысокочастотные
Малой мощности
Средней мощности
Большой мощности

b) последующие две цифры третьего элемента обозначения (от 01 до 99) – порядковый номер разработки прибора данного класса.

Четвертый элемент – буква, указывающая разновидность прибора из этой разработки.

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ

Терминология

Микроэлектроника представляет собой область электронной техники, в которой электронные приборы создаются на основе физических, химических, схемотехнических и технологических процессов.

В микроэлектронике применяются следующие виды интеграции:

– элементная, при которой отдельные элементы схемы объединены в единый блок;

– функциональная, при которой приборы создаются на основе физических свойств твердого тела.

Приборами, относящимися к области электроники, являются:

Микромодули представляют собой электронные приборы, собранные из различных специально разработанных элементов, имеющих одинаковые стандартные присоединительные размеры.

Микросхемы – это электронные приборы с плотностью монтажа не менее 5 элементов в 1 см 3 объема.

Интегральные микросхемы – микросхемы, элементы которых связаны между собой так, что устройство рассматривается, как единое целое.

Большие интегральные схемы – это интегральные микросхемы, в состав которых входит 10 000 ¸ 100 000 элементов.

Полупроводниковые интегральные микросхемы – это микросхемы, элементы которых выполнены в объеме или на поверхности полупроводникового материала.

Пленочные интегральные микросхемы – микросхемы, выполненные в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрика.

Гибридные микросхемы – микросхемы, выполненные комбинированным способом.

По функциональному назначению микросхемы подразделяются на два типа:

аналоговые микросхемы, у которых величина напряжения на выходе может изменяться по определенному закону в соответствии с сигналами, подаваемыми на вход, или в соответствии с внутренними процессами, происходящими в самой схеме;

цифровые (логические) микросхемы, выходное напряжение которых может принимать только два дискретных значения: либо наличие выходного сигнала (логическая “1”), либо его отсутствие (логический “0”).

Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит свое отражение в системе условных обозначений их типов. В соответствии с появлением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их условных обозначений.  [2]

Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находят свое отражение в системе условных обозначений их типов. В соответствии с возникновением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их условных обозначений, которая на протяжении последних 15 лет трижды претерпевала изменения.  [3]

Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит свое отражение в системе условных обозначений их типов. В соответствии с возникновением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их условных обозначений, которая на протяжении последних 15 лет трижды претерпевала изменения.  [4]

Классификаций транзисторов и диодов возможна по нескольким признакам в зависимости от материала прибора, механизма физических процессов, лежащих в основе усиления или генерации СВЧ колебаний, технологии изготовления прибора и некоторым другим.  [5]

Ниже приводится классификация транзисторов по пяти основным группам: тянутые, сплавные, электрохимические, диффузионные и эпитаксиальные. Такая классификация несколько произвольна, так например, тянуто-диффузионный транзистор можно считать как тянутым транзистором, так и диффузионным. На рис. 1 — 1 приведена диаграмма, которая иллюстрирует связь между различными технологическими методами изготовления транзисторных структур.  [6]

Формализованная схема процесса классификации транзисторов по группам является промежуточным звеном между содержательным описанием процесса и его математической моделью. Конечно, описываемый процесс не настолько сложен, чтобы строить формализованную схему; в данном случае можно сразу от описания процесса переходить к операторной схеме.  [7]

Рассмотрим содержательное описание процесса классификации транзисторов .  [8]

Установки для массового контроля должны обеспечивать классификацию транзисторов по определенным параметрам при фиксированной температуре. Основным требованием к установкам данного типа является высокая производительность, которая может быть достигнута автоматизацией операций.  [9]

Читайте так же:
Распил бревна на ленточной пилораме

В первой части справочника кратко изложены принципы классификации транзисторов . Даются общие указания по эксплуатации и меры защиты от статического электричества.  [10]

Пятый элемент, буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам.  [11]

Рассмотрим формализованную схему описанного в настоящем параграфе производственного процесса классификации транзисторов по группам.  [12]

В нем приводятся электрические и эксплуатационные характеристики и параметры транзисторов, классификация и система обозначений, классификация транзисторов по функциональному назначению, условные графические обозначения и условные обозначения электрических параметров, показаны особенности использования транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре.  [13]

В нем приводятся электрические и эксплуатационные характеристики и параметры транзисторов, классификация и система обозначений, классификация транзисторов по функциональному назначению, условные графические обозначения и условные обозначения электрических параметров, особенности использования транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре.  [14]

Третий элемент обозначения ( у некоторых типов он может отсутствовать) — буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам.  [15]

Электроника для начинающих

Биполярные и полевые транзисторы. Справочник. Горюнов Н.Н.

Биполярные и полевые транзисторы. Справочник. Горюнов Н.Н.

Настоящий справочник представляет собой наиболее полное издание, содержащее сведения о широкой номенклатуре отечественных биполярных и полевых транзисторов

В нем приводятся электрические и эксплуатационные характеристики и параметры транзисторов, классификация и система обозначений, классификация транзисторов по функциональному назначению, условные графические обозначения и условные обозначения электрических параметров, особенности использования транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре.

Настоящий справочник отличается от предыдущих изданий полнотой справочных параметров и их зависимостей от режимов эксплуатации

Справочные сведения о полупроводниковых приборах составлены на основе данных, зафиксированных в государственных стандартах и технических условиях на отдельные типы приборов Справочник содержит сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, важнейших параметрах, режимах измерения, предельных эксплуатационных режимах транзисторов, а также зависимости параметров от режимов и эксплуатационных факторов

Во второе издание справочника внесены дополнения и изменения, связанные с корректировкой ряда государственных стандартов и технических условий на некоторые типы приборов, проведенной после сдачи в печать первого издания, а также с введением в действие некоторых новых государственных и отраслевых стандартов Эти изменения, в первую очередь, касаются уточнения параметров на основе обобщения полученных в производстве статистических материалов, и отчасти, корректировки отдельных норм на параметры и некоторых изменений конструкции приборов

Справочник предназначен для специалистов, занимающихся разработкой, ремонтом и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры, студентов и аспирантов радиотехнических факультетов вузов и широкого круга радиолюбителей

Год выпуска: 1985
Автор: Горюнов Н.Н.
Жанр: Справочник
Издательство: Энергоатомиздат
Формат: DjVu
Размер: 6,5 МБ
Качество: Отсканированные страницы
Количество страниц: 904

Программа для чтения книги: DjVuReader

Скачать книгу - Биполярные и полевые транзисторы. Справочник. Горюнов Н.Н.

ЧАСТЬ ПЕРВАЯ ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Раздел первый Классификация биполярных и полевых транзисторов . 12

Классификация и система обозначений . 12
Классификация транзисторов по функциональному назначению 15
Условные графические обозначения . 15
Условные обозначения электрических параметров 16
Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторы 23
Раздел второй Особенности использоиаивя транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре 25

ЧАСТЬ ВТОРАЯ СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Раздел третий Транзисторы маломощные низкочастотные 35

n-p-n
ТМЗ (А, В, Г, Д), МЗ (А, В, Г, Д) 35
МП9А, МП 10, МП 10 (А, Б), МП11, МП11А 38
ТМ10 (А, Б, В, Ж) 41
МП35, МП36А, МП37, МП37А, МП37Б, МП38, МП38А 43
МП101, МП 101 (А, Б), МП102, МП103, МП103А, МП111, МП111 (А. Б), МП112, МП113, МП113А 45
2ТМ103 (А, Б, В, Г, Д) 49
ГТ122 (А, Б, В, Г) 50
KTI27 (А-1, Б-1, В-1, Г-1) 51
2Т201 (А, Б, В, Г, Д), КТ201 (А, Б, В, Г, Д) 52
2Т205 (А-3, Б-3) 55
КТ206 (А, Б) 57
КТ215 (A-i, Б-1, B-l, Г-1, Д-i, Е-1) 58
КТ302А 61
П307, П307В, П308, П309 61
ГТ404 (А, Б, В, Г) 64
КТ503 (А, Б, В, Г, Д, Е) 66

p-n-p
Т1 (А, Б), Т2 (А, Б, В, К), ТЗ (А, Б) 68
ТМ2 (А, Б, В, Г, Д), М2 (А, Б, В, Г, Д) 71
ТМ4 (А, Б, В, Г, Д, Е), М4 (А, Б, В, Г, Д, Е) . 74
ТМ5 (А, Б, В, Т, Д), М5 (А, Б, В, Г, Д) 77
TMII, ТМИ (А, Б) 80
МП13, МП13Б, МП14, МП14 (А, Б, И), МП15, МП15 (А, И) 83
МП16, МП16 (А, Б) 87
МП16Я1, МП16ЯН 89
МП20, МП21, МП21 (А, Б) 91
МП25, МП25 (А, Б). МП26, МП26 (А, Б) 94
П27, П27 (А, Б), П28 97
П29, П29А, П30 99
МП39, МП39Б, МП40, МП40А, МП41, МП41А . 101
МП42, МП42 (А, Б) 104
1Т101, 1Т101 (А, Б), IT102, IT102A 105
МП194, МП115, МП106, МП114, МП115, МП116 108
2ТМ104 (А, Б, В, Г), 2Т104 (А, Б, В, Г) 111
KTI04 (А. Б, В, Г) 113
ГТ108 (А, Б, В, Г) 115
ГТ109 (А, Б, В, Г, Е, Ж, И) 116
ГТ115 (А, Б, В, Г, Д) 118
1TMII5 (А, Б, В, Г), 1X115 (А, Б, В, Г) 119
1Т116 (А, Б, В, Г) 121 2Т117 (А, Б, В, Г), КТ117 (А, Б, В, Г) 123
2T1I8 (А, Б, В), KTI18 (А, Б, В) 125
2Т118 (А-!, Б-1) 128
КТ119 (А, Б) 129
КТ120 (А, Б, В) 131
ГТ124 (А, Б, В, Г) 132
ГТ125 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л) 133
2Т202 (А-1. Б-1, В-1, Г-1, Д-1), КТ202 (А, Б. В. Г, Д) 135
2Т203 (А, Б, В, Г, Д), КТ203 (А, Б, В) 137
КТ207 (А, Б, В) 140
2Т208 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л, М), КТ208 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л, М) 142
КТ209 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л, М) 144
КТ210 (А, Б, В) 147
KT2I1 (А-1, Б-1, В-1) 148
КТ214 (А-1, Б-1, В-1, Г-1, Д-1, Е-1) 150
ГТ402 (А, Б, В, Г) 152
1Т403 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И), ГТ403 (А, Б, В, Г. Д, Е, Ж, И, Ю) 155
ГТ405 (А, Б, В, Г) 158
П406, П407 161
КТ501 (А. Б. В, Г, Д. Е, Ж. И, К, Л, М) . 162
КТ502 (А, Б, В, Г, Д. Е) 164

Читайте так же:
Фотореле для чего нужно

Раздел четвертый Транзисторы маломощные высокочастотные 67

n-p-n
2Т301 (Г, Д. Е, Ж). КТ301 (Г, Д, Е. Ж) 167
2Т312 (А, Б, В), КТ312 (А, Б, В) 169
КТ314А-2 173
КТ315 (А, Б, В. Г, Д. Е, Ж. И) 175
2T3I7 (А-1, Б-1, В-1), КТ317 (А-1. Б-1, В-!) 178
2ТЗЗЗ (А-3, Б-3, В-3, В1-3, Г-3, Д-3, Е-3), КТЗЗЗ (А-3, Б-3, В-3, Г-3, Д-3, Е-3) 181
2Т336 (А. Б, В, Г, Д. Е), КТ336 (А, Б, В. Г, Д. Е) 185
КТ339А 187
КТ340 (А. Б, В. Г, Д) 189
КТ342 (А, Б, В) 190
2Т348 (А-3, Б-3, В-3). КТ348 (А, Б, В) 194
КТ358 (А, Б, В) 197
КТ359 (А, Б, В) 199
КТ369 (А. А-1, Б, Б-1, В, В-1, Г, Г-1) 200
КТ373 (А, Б, В, Г) 201
КТ375 (А, Б) 205
КТ379 (А, Б, В, Г) 208
2Т385 (А-2, АМ-2), КТ385 (A. AM) 211
KT3I02 (А. Б, В, Г, Д, Е) 216
2ТЗП7А, KT31I7A 218
П504, П504А, П505. П505А 220
KT60I (A. AM) 222
2Т602 (А. Б). 2Т602 (AM. БМ), КТ602 (А, Б) . . . 224
2Т603 (А, Б, В, Г, И), КТ603 (А, Б, В, Г, Д, Е) 227
КТ605 (А, Б, AM, БМ) 232
2Т608 (А, Б). КТ608 (А. Б) 235
КТ616 (А. Б) 238
KT6I7A 240
КТ618А 241
КТ630 (А, Б, В, Г, Е) 242

p-n-p
1ТМ305 (А. Б, В), IT305 (А, Б. В), ГТ305 (А, Б, В) . . . . 245
1Т308 (А, Б, В), ГТ308 (А, Б, В) 249
ГТ309 (А. Б. В, Г, Д, Е) 252
ГТ310 (А, Б, В, Г, Д, Е) 254
1Т320 (А, Б, В), ГТ320 (А, Б, В) 256
IT321 (А, Б, В, Г, Д, Е), ГТ321 (А, Б, В, Г, Д, Е) 260
ГТ322 (А, Б, В) 264
ГТ338 (А, Б, В) 266
КТ343 (А, Б, В) 267
КТ345 (Л, Б. В) 269
КТ350А 270
KT35I (А, Б) 271
КТ352 (А, Б) 273
КТ357 (А, Б, В, Г) 274
КТ361 (А, Б, В, Г, Д, Е) 276
2Т364 (А-2, Б-2, В-2), КТ364 (А-2, Б-2, В-2) 279
КТ380 (А, Б, В) 281
2Т388А-2, КТ388Б-2 285
2Т389А-2, КТ389Б-2 288
КТЗ104 (А, Б, В. Г, Д, Е) 291
KT3I07 (Л, Б, В. Г, Д, Е, Ж, И, К, J1) 292
КТЗ 108 (А, Б, В) 295
П401, П402, П403, П403А 297
П414, П414 (А, Б), П415, П415 (А, Б) 299
П416, П416 (А, Б) 301
П417, П417А 304
П422, П423 306
КТ620 (А, Б) 308

Раздел пятый. Транзисторы маломощные сверхвысокочастотные 309

n-p-n
2Т306 (А, Б, В, Г КТ306 (А, Б, В, Г, Д) 309
2Т307 (А-1. Б-1, В-1. Г-1), КТ307 (А-1, Б-1, В-1, Г-1) 312
1X311 (А, Б, Г, Д, К, Л), ГТ311 (Е, Ж, И) 315
2Т316 (А, Б, В, Г, Д), КТ316 (А, Б, В, Г, Д) 321
2T3I8 (А-1, Б-1, В-1, ВЫ, Г-1, Д-1, Е-1), КТ318 (А-1, Б-1, В-1, Г-1, Д-1, Е-1) 324
2Т324 (А-1, Б-1, В-1, Г-1, Д-1, Е-1), КТ324 (А-1, Б-1,
В-1, Г-1, Д-1, Е-1) 327
2Т325 (А, Б. В), КТ325 (А, Б, В) 330
1Т329 (А, Б, В), ГТ329 (А, Б. В, Г) 330
1ТЗЗО (А, Б, В, Г). ГТЗЗО (Д. Ж, И) 335
2Т331 (А-1, Б-1, В-1. Г-1, Д-1), КТ331 (А-1, Б-1. В-1, Г-1) 338
2Т332 (А-1, Б-1, В-1, Г-1, Д-1), КТ332 (А-1, Б-1, В-1,Г-1, Д-1) 341
1Т341 (А, Б, В), ГТ341 (А, Б, В) 343
2Т354 (А-2, Б-2), КТ354 (А, Б) 347
2Т355А, КТ355А 349
1Т362А, ГГ362 (А, Б) 350
2Т366 (А-1. Б-1, Б1-1, В-1), КТ366 (А, Б, В) 353
2Т368 (А, Б). КТ368 (А, Б) 357
2Т371А, КТ371А 359
2Т372 (А, Б, В), КТ372 (А, Б, В) 362
1Т374А-6 365
2Т382 (А, Б), КТ382 (А, Б) 367
1Т383 (А-2, Б-2, В-2), ГТ383 (А-2, Б-2, В-2) 370
2Т384 (А-2, АМ-2), КТ384 (A, AM) 373
1Т387 (А-2,Б-2) 377
КТ391 (А-2, Б-2, В-2) 381
9Т396А-2, КТ396А-2 385
2Т397Л-2, КТ397А-2 388
КТ399А 390
КТ3101А-2 393
КТЗ 106 А-2 396
1ТЗПОА-2 399
2ТЗП5 (А-2. Б-2). КТ3115 (А-2, Б-2, В-2, Г-2) . 401
2Т3120А. КТ3120А 404
1Т612А-4, ГТ612А-4 407
1Т614А 409
КТ633Б 411
КТ640 (А-2. Б-2, В-2) 414

Читайте так же:
Адаптер к мотоблоку схема

p-n-p
IT313 (А. Б. В). ГТ313 (А, Б, В) 418
2Т326 (А, Б), КТ326 (А, Б) 422
ГТ328 (А, Б. В) 425
1Т335 (А, Б, В. Г. Д) 427
КТ337 (А, Б, В) 431
ГТ346 (А, Б. В) 432
КТ347 (А. Б. В) 434
КТ349 (А. Б, В) 435
2Т360 (А-1, Б-1, В-1). КТ360 (А-1. Б-1. В-1) 437
2Т363 (А, Б), КТ363 (A. AM, Б, БМ) 439
2Т370 (А-1. Б-1), КТ370 (А-1. Б-1) 442
IT376A, ГТ376А 444
1Т386А 447
2Т392А-2. КТ392А-2 449
КТЗ 109 (А. Б. В) 451
П418 (Г, Д, Е, Ж, И, К, Л, М) 453

Раздел шестой. Транзисторы мощные низкочастотные . . . 455

n-p-n
П701, П701 (А, Б) 457
П702, П702А 459
2Т704 (А, Б), КТ704 (Л, Б, В) 461
ГТ705 (А, Б, В, Г, Д) 465
КТ801 (А, Б) 466
КТ802А 468
2Т803А, КТ803А 469
КТ805 (А, Б, AM. БМ, ВМ) 472
КТ807 (А. Б. AM. БМ) 475
2Т808А. КТ808А 477
2Т809А, КТ809А 480
2Т812 (А. Б), КТ812 (А, Б. В) 484
KT8I5 (А. Б. В, Г) 486
КТ817 (А, Б, В, Г) 489
2T8L9 (А, Б, В), КТ819 (А, Б, В, Г, AM, БМ, ВМ, ГМ) 491
КТ821 (А-1. Б-1, В-1) 495
КТ823 (А-1, Б-1, В-1) 497
2Т824 (A, AM, Б, БМ) 498
2Т826 (А, Б, В), КТ826 (А, Б, В) 501
2Т827 (А, Б, В), КТ827 (А, Б, В) 505
2Т828 (А, Б), КТ828 (А, Б) 509
КТ829 (А, Б, В, Г) 512

p-n-p
П4 (АЭ, БЭ, ВЭ, ГЭ, ДЭ) 512
П201Э, П201АЭ, П202Э, П203Э 517
П210 (А, Ш) 520
П213, П213 (А, Б), П214, П214 (А, Б, В, Г), П215 . 523
П216, П216 (А, Б, В, Г, Д), П217, П217 (А, Б, В, Г) 526
П302, ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, П306, П306А 530
П601И, П601 (ЛИ, БИ), П602 (И, АИ) 534
ГТ701А 538
1Т702 (А, Б, В) 540
ГТ703 (А, Б, В, Г, Д) 542
IT806 (А, Б, В), ГТ806 (А, Б, В, Г, Д) 544
ГТ810А 548
1Т813 (А, Б, В) 550
КТ814 (А, Б, В, Г) 554
КТ816 (А, Б, В. Г) 556
2Т818 (А, Б, В), КТ818 (А, Б, В, Г, AM, БМ, ВМ, ГМ) 558
КТ820 (Л-1, Б-1, В-1) 564
КТ822 (А-1, Б-1, В-1) 566
2Т825 (А, Б, В), КТ825 (Г, Д, Е) 568

Раздел седьмой Транзисторы мощные высокочастотные 572

n-p-n
КТ604 (А, Б, AM, БМ) 572
КТ6П (А, Б, В, Г) 575
2Т625 (А-2, Б-2, АМ-2, БМ-2), КТ625 (A, AM) . 577
КТ902А 580
2Т903 (А, Б), КТ903 (А, Б) 582
2Т908А, КТ908 (А, Б) 585
2Т912 (А, Б), KT9I2 (А, Б) 589
2T9I7A 592
2Т920 (А, Б, В), КТ920 (А, Б, В, Г) 594
2Т921А, КТ921 (А, Б) 600
2Т922 (А, Б, В), КТ922 (А, Б, В, Г, Д) 603
2Т926А, КТ926 (А, Б) 609
КТ927 (А, Б, В) 613
2Т928 (А, Б), КТ928 (А, Б) 614
2Т929А, КТ929А 616
2Т935А, КТ935А 620
КТ940 (А, Б, В) 623
КТ943 (А, Б, В, Г, Д) 625
2Т945 (А, Б, В), КТ945А 629
2Т947А, КТ947А 633
КТ957А 635
2Т958А, КТ958А 638

Читайте так же:
Домкраты пневматические автомобильные цены

p-n-p
П605, П605А, П606, П606А 647
П607′, П607А, П608, П608 (А, Б), П609, П609 (А, Б) . . . 647
КТ626 (А, Б, В, Г, Д) 651
2Т629А-2, КТ629А 653
1Т901 (А, Б) 655
1Т905А, ГТ905 (А, Б) 657
1Т906А, ГТ906 (A, AM) 660
1Т910А 663
2Т932 (А, Б), КТ932 (А, Б, В) 666
2Т933 (А, Б), КТ933 (А, Б) 667

Раздел восьмой. Транзисторы мощные сверх высокочастотные 669

n-p-n
2Т606А, КТ606 (А, Б) 669
2Т607А-4, КТ607 (А-4. Б-4) 673
2Т6Ю (А, Б), КТ610 (А, Б) 676
2Т624 (А-2, АМ-2), КТ624 (A, AM) 679
2Т634 (А-2), КТ634Б-2 682
2Т635А, КТ635Б 684
2Т904А, КТ904 (А, Б) 686
2Т907А, КТ907 (А, Б) 691
2Т909 (А, Б), КТ909 (А, Б, В, Г) 695
2Т9И (А, Б), KT9I1 (А, Б, В, Г) 700
2T9I3 (А, Б, В), КТ913 (А, Б, В) 704
2Т916А, КТ916А 719
КТ918 (А, Б) 713
2Т919 (А, Б, В), KT9I9 (А, Б, В, Г) 715
2Т925 (А, Б, В), КТ925 (А, Б, В, Г) 722
2Т930 (А, Б), КТ930 (А, Б) 728
2Т931А, КТ931А 732
2Т934 (А, Б, В), КТ934 (А, Б, В, Г, Д) 736
2Т937 (А-2, Б-2), КТ937 (А-2, Б-2) 744
2Т938А-2, КТ938Л-2 750
2Т939А, КТ939А 753
2Т942 (А, Б). КТ942В 755
2Т960А, КТ960Л 759

p-n-p
2T9I4A, КТ914А 763

Раздел девятый Транзисторные сборки 770

n-p-n
IHT251, 1HT25IA, K1HT25I 771
2Т381 (А-1, Б-1, В-1, Г-1, Д-1)
КТС395 (А, Б) 771
2ТС398 (А-1, Б-1), КТС398 (А-1, Б-1) . 775
2ТС613 (А, Б), КТС613 (А, Б, В, Г) 778
КТС631 (А, Б, В, Г) . 782
К1НТ661А 784

n-p-n и p-n-p
2ТС303А-2, КТСЗОЗА-2 786

p-n-p
2ТС393 (А-1, Б-1), КТС393 (А, Б) 789
КТС394 (А, Б) 794
2ТС3103 (А, Б), KTC3I03 (А, Б) 797
1ТС609 (А, Б, В), ГТС609 (А, Б, В) 800
2ТС622 (А, Б), КТС622 (А. Б) 804

ЧАСТЬ ТРЕТЬЯ СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Раздел десятый. Транзисторы маломощные 808

2П101 (А, Б, В), КП101 (Г, Д, Е) 808
2П103 (А, Б, В, Г, Д, АР, БР, BP, ГР, ДР), КШ03 (Е, Ж, И, К, Л, М, ЕР, ЖР, ИР, КР, ЛР, MP) . 810
2П201 (А-1, Б-1, В-1, Г-1, Д-1), КП201 (Е, Ж, И, К, Л) 81?
2П301 (А, Б), КП301 (Б, В, Г) 821
2П302 (А, Б, В), КП302 (А, Б, В, Г, AM, БМ, ВМ, ГМ) 8?4
2ПЗОЗ (А, Б, В, Г, Д, Е, И), КПЗОЗ (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И) 828
2П304А, КП304А 833
2П305 (А, Б, В, Г), КП305 (Д, Е, Ж, И) 836
2П305 (А-2, Б-2, В-2, Г-2) 839
2П306 (А, Б, В), КП306 (А, Б, В) 841
2П307 (А, Б, В, Г), КП307 (А, Б, В, Г, Д, Е. Ж) 844
2П308 (А, Б, В, Г, Д), КП308 (А, Б, В, Г, Д) . . . 849
2П310 (А, Б) 851
2П312 (А, Б), КП312 (А, Б) 854
211313 (А, Б, В), КП313 (А, Б, В) 858
КП314А 861
2П350 (А, Б), КП350 (А, Б, В) 862

Раздел одиннадцатый. Транзисторы мощные . 866

2П901 (А, Б), КП901 (А, Б) 866
2П902 (А, Б), КП902 (А, Б, В) 869
2П903 (А, Б, В). КП903 (А, Б, В) 874
2П904 (А, Б), КП904 (А, Б) 878
2П905 (А, Б), КП905 (А, Б, В) 880
КП907 (А, Б) 884

Раздел двенадцатый. Транзисторы сдвоенные

К ПС 104 (А, Б, В, Г, Д, Е) 887
2ПС202 (А-2, Б-2, В-2, Г-2), 2П202 (Д-1, Е-1), КПС202 (А-2, Б-2, В-2, Г-2), КП202 (Д-1, Е-1) 890
КПС315 (А, Б) 894

Алфавитно-цифровой указатель транзисторов, помещенных в справочнике 897

Классификация транзисторов по функциональному назначению

В настоящем разделе наряду с нашедшей отражение в системе условных обозначений типов транзисторов классифи­кацией приведена классификация биполярных транзисторов по частоте: низкочастотные (fгр. < 30 МГц); высокочастотные (30 МГц < /гр < 300 МГц); сверхвысокочастотные (fгр > 300 МГц).

Биполярные транзисторы в соответствии с основными об­ластями применения подразделяются на следующие группы:

усилительные (сверхчастотные, высоковольтные, высокочастот­ные линейные); генераторные (высокочастотные, сверхвысо­кочастотные, сверхвысокочастотные с согласующими цепями);

переключательные высоковольтные и импульсные высоковольт­ные).

По своему основному назначению полевые транзисторы делятся на усилительные, генераторные и переключательные. Каждая из перечисленных групп характеризуется специфичес­кой системой параметров и справочных зависимостей, отражающих особенности применения транзисторов в радиоектронной аппаратуре.

71. Основные свойства полупроводников. Зонная теория.

Полупроводники — это вещества, имеющие при комнатной температуре удельную электрическую проводимость в интервале от 10 -8 до 10 6 Ом -1 м -1 , которая в сильной степени зависит от вида и количества примеси и структуры вещества, а также от внешних условий: температуры, освещения, внешних электрических и магнитных полей, облучения. Электропроводность твердых тел в современной физике объясняется на основе зонной теории. На рис. I показаны упрощенные диаграммы энергетических зон собственного, акцепторного и донорного полупроводников.

Читайте так же:
Ключ динамометрический для головки блока цилиндров

Нижняя зона представляет собой валентную зону, которая у полупроводников так же, как и у диэлектриков, при температуре, равной абсолютному нулю, полностью заполнена электронами. Валентная зона и зона проводимости разделены энергетическим интервалом, так называемой запрещенной зоной, величина которой (DЕ) для полупроводников имеет значения до 2-3 эВ, для диэлектриков более 2-3 эВ (Металлы имеют или частично заполненную валентную зону, или полностью заполненную валентную зону, перекрывающуюся с зоной проводимости.)

Существование запрещенной зоны энергий можно объяснить, исходя из особенностей химической связи в полупроводниках. При ненарушенных связях в кристалле (нет химических примесей и структурных дефектов) все валентные электроны каждого атома (два S — электрона и два Р -электрона) участвуют в образовании ковалентных связей. В таком состоянии (температура абсолютного нуля и отсутствие внешних ионизирующих воздействий) кристалл является изолятором. Для создания подвижных электронов необходим разрыв некоторого количества связей. Это происходит при повышении температуры и под действием ионизирующих излучений. При разрыве каждой связи возникает один электрон проводимости и одно вакантное квантовое состояние электрона.

Рис. I. Энергетические зоны проводников:

а – собственного; б – акцепторного; в – донорного.

Наименьшее приращение энергии электрона при его переходе из связанного состояния в состояние проводимости (работа разрыва связи) есть ширина запрещенной зоны D Е.

При абсолютном нуле полупроводник не имеет свободных электронов в зоне проводимости и является изолятором. Однако с повышением температуры электроны получают тепловую энергию, которая для части электронов оказывается достаточной для преодоления запрещенной зоны и перехода их в зону проводимости. В результате полупроводник теряет свойства идеального изолятора, так как электрическое поле имеет возможность изменять состояние электронов, находящихся в зоне проводимости. Кроме того, вследствие образования вакантных уровней в валентной зоне, электроны этой зоны также могут изменять свою скорость под действием внешнего поля. Поведение электронов валентной зоны может быть представлено как движение положительно заряженных квазичастиц, получивших название "дырок".

Таким образом, полупроводники обладают двумя видами электропроводности: электронной, обусловленной движением свободных электронов в зоне проводимости, и дырочной, обусловленной движением дырок в валентной зоне.

Проводимость чистых полупроводников создается как электронами, так и дырками и называется собственной проводимостью. Уровень Ферми в собственных полупроводниках находится посередине запрещенной зоны.

Типичными представителями полупроводников являются химически чистые элементы IV группы таблицы Менделеева. В кристаллической решетке этих элементов (например, германия) каждый атом образует четыре парно-электронные (ковалентные) связи с соседними атомами.

Введение в полупроводники незначительного количества примесей

( » 10 -4 %) приводит к значительному увеличению электропроводности полупроводника. Проводимость, обусловленная наличием примесей в полупроводнике, называется примесной.

Рассмотрим механизм примесной проводимости полупроводников.

При замещении атома германия атомом, имеющим три валентных электрона (In , B), одна валентная связь германия оказывается не заполненной электроном. Электрон одной из соседних заполненных связей может перейти в незаполненную связь. Причем этот переход требует гораздо меньшей энергии (DEa) по сравнению с энергией DЕ отрыва электрона от атома в идеальной решетке германия. По зонной теории введение трехвалентной примеси в решетку германия приводит к возникновению свободных уровней Еа вблизи потолка валентной зоны (рис I б).

Уровни, способные захватывать валентные электроны, называются акцепторными. Часть валентных электронов покидает валентную зону и занимает эти уровни, оставляя после себя в валентной зоне дырки, которые являются основными носителями тока в подобного рода полупроводниках. Такие полупроводники называются полупроводниками р-типа.

Уровень Ферми в акцепторных полупроводниках располагается вблизи примесных уровней.

Если в кристалл германия ввести пятивалентный атом примеси (например, мышьяк), то пятый электрон мышьяка окажется слабо связанным с атомом. Для того чтобы оторвать его от атома и превратить в свободный носитель тока, требуется значительно меньшее количество энергии DEд, чем энергия DЕ высвобождения электрона из валентной связи. Согласно зонной теории (рис. i в), добавление пятивалентной примеси в чистый полупроводник IV группы приводит к возникновению в запрещенной зоне вблизи дна зоны проводимости дополнительных уровней энергии ед, с которых электроны могут переходить в зону проводимости.

Уровни, способные отдавать электроны в зону проводимости, называются донорными, а полупроводник с такого рода примесью называется полупроводником n-типа (электронного типа проводимости). Уровень Ферми в донорных полупроводниках находится вблизи примесных уровней.

studopedia.org — Студопедия.Орг — 2014-2021 год. Студопедия не является автором материалов, которые размещены. Но предоставляет возможность бесплатного использования (0.002 с) .

голоса
Рейтинг статьи
Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector